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滲硅硅鋼在退火爐內(nèi)退火時(shí)的物理變化
時(shí)間: 2019-01-21 16:42:20
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對(duì)滲硅后的硅鋼進(jìn)行高溫退火, 1000℃下退火時(shí)間為60-210 min, 退火試樣的平均晶粒尺寸為187μm左右, 正好落入最佳鐵損尺寸范圍內(nèi)(100-200μm)。退火溫度為1000℃、退
對(duì)滲硅后的硅鋼進(jìn)行高溫退火, 1000℃下退火時(shí)間為60-210 min, 退火試樣的平均晶粒尺寸為187μm左右, 正好落入最佳鐵損尺寸范圍內(nèi)(100-200μm)。退火溫度為1000℃、退火為210 min 的試樣, 其Si濃度分布已均一化。
在較高溫度下退火, 延長(zhǎng)退火爐時(shí)間可使硅鋼的面織構(gòu)密度降低, 面織構(gòu)增加, 并得到密度為6.4 的高斯織構(gòu)。退火溫度和時(shí)間對(duì)硅鋼的磁感應(yīng)強(qiáng)度影響不大, 退火時(shí)間對(duì)鐵損的影響較大。退火時(shí)間一定時(shí), 隨著退火溫度的提高磁感應(yīng)強(qiáng)度變化不明顯, 鐵損逐漸降低;退火溫度一定時(shí), 隨著退火時(shí)間的延長(zhǎng)鐵損明顯降低; 溫度為1000℃、退火210 min 的硅鋼, 其鐵損低而磁感應(yīng)強(qiáng)度較高。
隨著退火溫度的升高易磁化織構(gòu)的含量增加。其原因是, 硅鋼在經(jīng)過冷軋后形成了大量的{111}面織構(gòu),退火時(shí)再結(jié)晶晶核優(yōu)先在儲(chǔ)存能較高的位置形核, 并吞噬周圍的織構(gòu)組分, 形成磁性能優(yōu)越的織構(gòu)晶粒。這些因素使試樣中含有大量的面織構(gòu), 提高材料的磁性能。從表3 可見, 隨著退火溫度的升高鐵損逐漸降低, 磁感應(yīng)強(qiáng)度變化不大。因此, 在較高的溫度下延長(zhǎng)退火時(shí)間可得到晶粒尺寸較大、{面織構(gòu)密度增加, 面織構(gòu)密度明顯降低的試樣, 其磁感應(yīng)強(qiáng)度增大, 鐵損明顯降低。
在較高溫度下退火, 延長(zhǎng)退火爐時(shí)間可使硅鋼的面織構(gòu)密度降低, 面織構(gòu)增加, 并得到密度為6.4 的高斯織構(gòu)。退火溫度和時(shí)間對(duì)硅鋼的磁感應(yīng)強(qiáng)度影響不大, 退火時(shí)間對(duì)鐵損的影響較大。退火時(shí)間一定時(shí), 隨著退火溫度的提高磁感應(yīng)強(qiáng)度變化不明顯, 鐵損逐漸降低;退火溫度一定時(shí), 隨著退火時(shí)間的延長(zhǎng)鐵損明顯降低; 溫度為1000℃、退火210 min 的硅鋼, 其鐵損低而磁感應(yīng)強(qiáng)度較高。
隨著退火溫度的升高易磁化織構(gòu)的含量增加。其原因是, 硅鋼在經(jīng)過冷軋后形成了大量的{111}面織構(gòu),退火時(shí)再結(jié)晶晶核優(yōu)先在儲(chǔ)存能較高的位置形核, 并吞噬周圍的織構(gòu)組分, 形成磁性能優(yōu)越的織構(gòu)晶粒。這些因素使試樣中含有大量的面織構(gòu), 提高材料的磁性能。從表3 可見, 隨著退火溫度的升高鐵損逐漸降低, 磁感應(yīng)強(qiáng)度變化不大。因此, 在較高的溫度下延長(zhǎng)退火時(shí)間可得到晶粒尺寸較大、{面織構(gòu)密度增加, 面織構(gòu)密度明顯降低的試樣, 其磁感應(yīng)強(qiáng)度增大, 鐵損明顯降低。
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